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SS2H10-M3/52T

SS2H10-M3/52T

僅供參考

型號 SS2H10-M3/52T
PNEDA編號 SS2H10-M3-52T
描述 DIODE SCHOTTKY 2A 100V DO-214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,114
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS2H10-M3/52T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS2H10-M3/52T
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SS2H10-M3/52T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果790mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

25A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.14V @ 25A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.3V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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1600V

電流-平均整流(Io)

50A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 125A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

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80V

電流-平均整流(Io)

240A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 240A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 80V

電容@ Vr,F

-

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