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SS35-E3/9AT

SS35-E3/9AT

僅供參考

型號 SS35-E3/9AT
PNEDA編號 SS35-E3-9AT
描述 DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,604
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS35-E3/9AT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS35-E3/9AT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SS35-E3/9AT, SS35-E3/9AT數據表 (總頁數: 4, 大小: 90 KB)
PDFSS36-7001HE3_A/I數據表 封面
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SS35-E3/9AT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果750mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 300V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 30V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 16A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

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