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SS35 M6G

SS35 M6G

僅供參考

型號 SS35 M6G
PNEDA編號 SS35-M6G
描述 DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 5,904
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS35 M6G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS35 M6G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SS35 M6G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果750mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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650V

電流-平均整流(Io)

29A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.9V @ 12A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 650V

電容@ Vr,F

632pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

150°C (Max)

UF5408-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

36pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

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STMicroelectronics

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

55µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

SMC

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

880mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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