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SS36-M3/9AT

SS36-M3/9AT

僅供參考

型號 SS36-M3/9AT
PNEDA編號 SS36-M3-9AT
描述 DIODE SCHOTTKY 3A 60V DO-214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,348
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 31 - 一月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS36-M3/9AT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS36-M3/9AT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SS36-M3/9AT, SS36-M3/9AT數據表 (總頁數: 4, 大小: 90 KB)
PDFSS36-7001HE3_A/I數據表 封面
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SS36-M3/9AT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果750mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 60V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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60V

電流-平均整流(Io)

10A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

0.58V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 60V

電容@ Vr,F

345pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

25pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 4A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

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