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SS3P6HM3/84A

SS3P6HM3/84A

僅供參考

型號 SS3P6HM3/84A
PNEDA編號 SS3P6HM3-84A
描述 DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO220AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 53,682
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS3P6HM3/84A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS3P6HM3/84A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SS3P6HM3/84A, SS3P6HM3/84A數據表 (總頁數: 5, 大小: 87.83 KB)
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SS3P6HM3/84A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果780mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 60V
電容@ Vr,F80pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-220AA
供應商設備包裝DO-220AA (SMP)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

電容@ Vr,F

28pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 500V

電容@ Vr,F

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550mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 30V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 10000V

電容@ Vr,F

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