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SS9018GBU

SS9018GBU

僅供參考

型號 SS9018GBU
PNEDA編號 SS9018GBU
描述 RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 55,386
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 22 - 六月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS9018GBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS9018GBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
SS9018GBU, SS9018GBU數據表 (總頁數: 5, 大小: 173.35 KB)
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SS9018GBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
頻率-過渡1.1GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大400mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce72 @ 1mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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6V

頻率-過渡

14GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

增益

10dB ~ 14.5dB

功率-最大

210mW, 380mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 15mA, 3V / 60 @ 40mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA, 80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-XFDFN

供應商設備包裝

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

9dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

16V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

5.8dB

功率-最大

117W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 2GHz

增益

18dB

功率-最大

60mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10mA

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