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SS9018HBU

SS9018HBU

僅供參考

型號 SS9018HBU
PNEDA編號 SS9018HBU
描述 RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 22,800
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS9018HBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS9018HBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
SS9018HBU, SS9018HBU數據表 (總頁數: 5, 大小: 173.35 KB)
PDFSS9018FBU數據表 封面
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SS9018HBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
頻率-過渡1.1GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大400mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce97 @ 1mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

頻率-過渡

700MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 200MHz

增益

20dB ~ 24dB

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 2mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

PNP

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3.3dB @ 500MHz

增益

-

功率-最大

1W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 70mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

SOT-89-3

MS1406

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

35V

頻率-過渡

175MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8.2dB

功率-最大

30W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 200mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

M135

供應商設備包裝

M135

MS3456

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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