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SSA33LHE3/61T

SSA33LHE3/61T

僅供參考

型號 SSA33LHE3/61T
PNEDA編號 SSA33LHE3-61T
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSA33LHE3/61T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSA33LHE3/61T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SSA33LHE3/61T, SSA33LHE3/61T數據表 (總頁數: 4, 大小: 82.84 KB)
PDFSSA34HE3/61T數據表 封面
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SSA33LHE3/61T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果450mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 30V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 6A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

210µA @ 650V

電容@ Vr,F

190pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 2000V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 1000V

電容@ Vr,F

15pF @ 12V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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150V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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-

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