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SSM3J327R,LF

SSM3J327R,LF

僅供參考

型號 SSM3J327R,LF
PNEDA編號 SSM3J327R-LF
描述 MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 209,424
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM3J327R資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM3J327R,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM3J327R規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVI
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.9A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.6nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds290pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23F
包裝/箱SOT-23-3 Flat Leads

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.1mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

104nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5080pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 270µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

167nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6100pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

510pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 178A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

102nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 417W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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