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SSM3K01T(TE85L,F)

SSM3K01T(TE85L,F)

僅供參考

型號 SSM3K01T(TE85L,F)
PNEDA編號 SSM3K01T-TE85L-F
描述 MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,766
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM3K01T(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM3K01T(TE85L,F)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM3K01T(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列π-MOSVI
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4V
Rds On(Max)@ Id,Vgs120mOhm @ 1.6A, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds152pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.25W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TSM
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

734pF @ 12.5V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 30W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3380pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

136W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

139nC @ 10V

Vgs(最大)

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

12Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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