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SSM3K59CTB,L3F

SSM3K59CTB,L3F

僅供參考

型號 SSM3K59CTB,L3F
PNEDA編號 SSM3K59CTB-L3F
描述 MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 93,162
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM3K59CTB資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM3K59CTB,L3F
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM3K59CTB規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVII-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 8V
Rds On(Max)@ Id,Vgs215mOhm @ 1A, 8V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.1nC @ 4.2V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds130pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝CST3B
包裝/箱3-SMD, No Lead

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 25V

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-

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

74nC @ 10V

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