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SSM6J213FE(TE85L,F

SSM6J213FE(TE85L,F

僅供參考

型號 SSM6J213FE(TE85L,F
PNEDA編號 SSM6J213FE-TE85L-F
描述 MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 7,254
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6J213FE(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6J213FE(TE85L,F
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM6J213FE(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVI
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.7nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds290pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝ES6
包裝/箱SOT-563, SOT-666

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制造商

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系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 218µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

265pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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Global Power Technologies Group

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.65Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

627pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

92.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

710pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

57W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

1500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5Ohm @ 1.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 140W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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