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SSM6J801R,LF

SSM6J801R,LF

僅供參考

型號 SSM6J801R,LF
PNEDA編號 SSM6J801R-LF
描述 MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP-F
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 25,494
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6J801R資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6J801R,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM6J801R規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVI
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs32.5mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12.8nC @ 4.5V
Vgs(最大)+6V, -8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds840pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.5W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-TSOP-F
包裝/箱6-SMD, Flat Leads

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1725pF @ 25V

FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 5V

Vgs(最大)

±5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

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350mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

72A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 43A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

150W (Tc)

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