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SSM6K514NU,LF

SSM6K514NU,LF

僅供參考

型號 SSM6K514NU,LF
PNEDA編號 SSM6K514NU-LF
描述 MOSFET N-CH 40V 12A 6-UDFNB
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 56,772
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6K514NU資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6K514NU,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM6K514NU規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSIX-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11.6mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1110pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-UDFNB (2x2)
包裝/箱6-WDFN Exposed Pad

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 5.4A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 74W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

69.5nC @ 5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

52A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5300pF @ 25V

FET功能

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