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SSM6L39TU,LF

SSM6L39TU,LF

僅供參考

型號 SSM6L39TU,LF
PNEDA編號 SSM6L39TU-LF
描述 MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,914
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6L39TU資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6L39TU,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SSM6L39TU規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate, 1.8V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)800mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs143mOhm @ 600MA, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds268pF @ 10V
功率-最大500mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝UF6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

150mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

17.9mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 15V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 15V

功率-最大

1.15W

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10A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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