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SSM6L61NU,LF

SSM6L61NU,LF

僅供參考

型號 SSM6L61NU,LF
PNEDA編號 SSM6L61NU-LF
描述 MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 26,922
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6L61NU資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6L61NU,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SSM6L61NU規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-UDFN (2x2)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Ta), 95A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.12mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5035pF @ 15V

功率-最大

2.1W (Ta), 29W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V, 20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.5nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

787pF @ 6V

功率-最大

1.36W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1680pF @ 13V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A, 1.95A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

205pF @ 20V

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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