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SSM6N40TU,LF

SSM6N40TU,LF

僅供參考

型號 SSM6N40TU,LF
PNEDA編號 SSM6N40TU-LF
描述 SMALL SIGNAL MOSFET N-CHX2 VDSS3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 7,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6N40TU資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6N40TU,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SSM6N40TU規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列*
FET類型-
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 25A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

620nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 800V

功率-最大

20mW

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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Module

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1478pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

630mOhm @ 200mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.23nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46pF @ 10V

功率-最大

150mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

697pF @ 15V

功率-最大

1.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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