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SSM6N44FU,LF

SSM6N44FU,LF

僅供參考

型號 SSM6N44FU,LF
PNEDA編號 SSM6N44FU-LF
描述 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 28,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6N44FU資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6N44FU,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SSM6N44FU規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100mA (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8.5pF @ 3V
功率-最大200mW (Ta)
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝US6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 50A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 2.5mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

190nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3080pF @ 1000V

功率-最大

350W

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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2 P-Channel (Dual)

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Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

116mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

345pF @ 10V

功率-最大

6.5W

工作溫度

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Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

710pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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2 N-Channel (Dual)

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1975pF @ 20V

功率-最大

800mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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