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SSM6N56FE,LM

SSM6N56FE,LM

僅供參考

型號 SSM6N56FE,LM
PNEDA編號 SSM6N56FE-LM
描述 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 106,050
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6N56FE資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6N56FE,LM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SSM6N56FE規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate, 1.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)800mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs235mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds55pF @ 10V
功率-最大150mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝ES6

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

144mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

276pF @ 10V

功率-最大

2.8W

工作溫度

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A, 23A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1785pF @ 15V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

180pF @ 10V

功率-最大

1.13W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.8mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1885pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

150mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 4.5V

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