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SSM6N7002BFE(T5L,F

SSM6N7002BFE(T5L,F

僅供參考

型號 SSM6N7002BFE(T5L,F
PNEDA編號 SSM6N7002BFE-T5L-F
描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,568
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6N7002BFE(T5L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6N7002BFE(T5L,F
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SSM6N7002BFE(T5L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)200mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds17pF @ 25V
功率-最大150mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝ES6 (1.6x1.6)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.8nC @ 10V, 22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 20V, 1175pF @ 20V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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