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SSM6P35AFU,LF

SSM6P35AFU,LF

僅供參考

型號 SSM6P35AFU,LF
PNEDA編號 SSM6P35AFU-LF
描述 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 25,890
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6P35AFU資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6P35AFU,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SSM6P35AFU規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVII
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate, 1.2V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)250mA (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds42pF @ 10V
功率-最大285mW (Ta)
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝US6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 15V, 1480pF @ 15V

功率-最大

2.2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 180A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 9mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1224nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23000pF @ 1000V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

515pF @ 25V

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