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SSM6P35FE(TE85L,F)

SSM6P35FE(TE85L,F)

僅供參考

型號 SSM6P35FE(TE85L,F)
PNEDA編號 SSM6P35FE-TE85L-F
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 35,268
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6P35FE(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6P35FE(TE85L,F)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SSM6P35FE(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds12.2pF @ 3V
功率-最大150mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝ES6 (1.6x1.6)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

485mA, 370mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.1Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.72nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46pF @ 15V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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