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SSN1N45BBU

SSN1N45BBU

僅供參考

型號 SSN1N45BBU
PNEDA編號 SSN1N45BBU
描述 MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSN1N45BBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSN1N45BBU
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SSN1N45BBU, SSN1N45BBU數據表 (總頁數: 10, 大小: 641.86 KB)
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SSN1N45BBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)450V
電流-25°C時的連續漏極(Id)500mA (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.25Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.7V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.5nC @ 10V
Vgs(最大)±50V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds240pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)900mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-92-3
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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ON Semiconductor

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

460W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-264-3

包裝/箱

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BUK9612-55B,118

Nexperia

制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3693pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

157W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NVMFS5C645NLAFT1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

Automotive, AEC-Q101

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 79W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

包裝/箱

8-PowerTDFN, 5 Leads

BUK6213-30C,118

Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

47A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1108pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

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8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1670pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.2W (Tc)

工作溫度

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