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SST201-T1-E3

SST201-T1-E3

僅供參考

型號 SST201-T1-E3
PNEDA編號 SST201-T1-E3
描述 JFET N-CH 25V .7MA SOT-23
制造商 Vishay Siliconix
單價
1 ---------- $6.3913
250 ---------- $6.0917
500 ---------- $5.7921
1,000 ---------- $5.4925
2,500 ---------- $5.2429
5,000 ---------- $4.9932
庫存 12,832
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SST201-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SST201-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
SST201-T1-E3, SST201-T1-E3數據表 (總頁數: 6, 大小: 78.09 KB)
PDFSST201-T1-E3數據表 封面
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SST201-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)40V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)200µA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID300mV @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4.5pF @ 15V
電阻-RDS(On)-
功率-最大350mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

15mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16pF @ 20V

電阻-RDS(On)

50 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

10mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2.5V @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

250mW

工作溫度

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

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電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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