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SST39LF020-45-4C-NHE

SST39LF020-45-4C-NHE

僅供參考

型號 SST39LF020-45-4C-NHE
PNEDA編號 SST39LF020-45-4C-NHE
描述 IC FLASH 2M PARALLEL 32PLCC
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 3,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SST39LF020-45-4C-NHE資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SST39LF020-45-4C-NHE
類別半導體內存IC內存
數據表
SST39LF020-45-4C-NHE, SST39LF020-45-4C-NHE數據表 (總頁數: 31, 大小: 412.24 KB)
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SST39LF020-45-4C-NHE規格

制造商Microchip Technology
系列SST39 MPF™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH
內存大小2Mb (256K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁20µs
訪問時間45ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-LCC (J-Lead)
供應商設備包裝32-PLCC (11.43x13.97)

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內存大小

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時鐘頻率

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

208-LFBGA

供應商設備包裝

208-CABGA (15x15)

CY62137FV30LL-55ZSXE

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

2Mb (128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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55ns

訪問時間

55ns

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安裝類型

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IDT, Integrated Device Technology

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

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內存格式

SRAM

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SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

5ns

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