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SST4416-E3

SST4416-E3

僅供參考

型號 SST4416-E3
PNEDA編號 SST4416-E3
描述 JFET N-CH 36V 5MA SOT-23
制造商 Vishay Siliconix
單價
1 ---------- $4.3100
250 ---------- $4.1080
500 ---------- $3.9060
1,000 ---------- $3.7039
2,500 ---------- $3.5356
5,000 ---------- $3.3672
庫存 7,292
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SST4416-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SST4416-E3
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
SST4416-E3, SST4416-E3數據表 (總頁數: 7, 大小: 81.15 KB)
PDFSST4416-T1-E3數據表 封面
SST4416-T1-E3數據表 頁面 2 SST4416-T1-E3數據表 頁面 3 SST4416-T1-E3數據表 頁面 4 SST4416-T1-E3數據表 頁面 5 SST4416-T1-E3數據表 頁面 6 SST4416-T1-E3數據表 頁面 7

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SST4416-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)5mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID3V @ 1nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2.2pF @ 15V
電阻-RDS(On)-
功率-最大350mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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制造商

Vishay Siliconix

系列

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FET類型

-

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供應商設備包裝

TO-206AA (TO-18)

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制造商

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系列

*

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

1.8W

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

Military, MIL-PRF-19500/375

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

50V

漏極至源極電壓(Vdss)

50V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2.5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

供應商設備包裝

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

6mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

30mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 3nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

10 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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