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SST5484-T1-E3

SST5484-T1-E3

僅供參考

型號 SST5484-T1-E3
PNEDA編號 SST5484-T1-E3
描述 JFET P-CH 35V 1MA SOT-23
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,470
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SST5484-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SST5484-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
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SST5484-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)25V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)1mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID300mV @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5pF @ 15V
電阻-RDS(On)-
功率-最大350mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

12mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

90mA @ 18V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

10V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

25pF @ 15V

電阻-RDS(On)

75 Ohms

功率-最大

500mW

工作溫度

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Through Hole

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

250 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

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55V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

30mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

5V @ 10µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6.5pF @ 10V

電阻-RDS(On)

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