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SST5485-T1-E3

SST5485-T1-E3

僅供參考

型號 SST5485-T1-E3
PNEDA編號 SST5485-T1-E3
描述 JFET P-CH 35V 4MA SOT-23
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,516
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SST5485-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SST5485-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
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SST5485-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)25V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)4mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID500mV @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5pF @ 15V
電阻-RDS(On)-
功率-最大350mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

20mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 100µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6pF @ 5V

電阻-RDS(On)

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功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

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功率-最大

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

10mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 10V

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功率-最大

350mW

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12mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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