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STB10NK60Z-1

STB10NK60Z-1

僅供參考

型號 STB10NK60Z-1
PNEDA編號 STB10NK60Z-1
描述 MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 4,356
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STB10NK60Z-1資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STB10NK60Z-1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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STB10NK60Z-1規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs750mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs70nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1370pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)115W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I2PAK
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 43A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3210pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

180W (Tc)

工作溫度

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

175mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 45W (Tc)

工作溫度

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

980pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

71W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 50V

FET功能

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功耗(最大值)

50W (Tc)

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