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STB11NM80T4

STB11NM80T4

僅供參考

型號 STB11NM80T4
PNEDA編號 STB11NM80T4
描述 MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,318
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STB11NM80T4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STB11NM80T4
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STB11NM80T4, STB11NM80T4數據表 (總頁數: 22, 大小: 904.76 KB)
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STB11NM80T4規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs400mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs43.6nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1630pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)150W (Tc)
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

52A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

91nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3750pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

350W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

34.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 21.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 1.9mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

313W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1434pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

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