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STB16N65M5

STB16N65M5

僅供參考

型號 STB16N65M5
PNEDA編號 STB16N65M5
描述 MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 22,140
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 27 - 一月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STB16N65M5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STB16N65M5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STB16N65M5, STB16N65M5數據表 (總頁數: 19, 大小: 1,366.76 KB)
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STB16N65M5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs299mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs31nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1250pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)90W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

390mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

140A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 70A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

185nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

390mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 450µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

890pF @ 300V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

550V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1480pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

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