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STB22N60M6

STB22N60M6

僅供參考

型號 STB22N60M6
PNEDA編號 STB22N60M6
描述 N-CHANNEL 600 V, 105 MOHM TYP.,
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,940
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STB22N60M6資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STB22N60M6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STB22N60M6, STB22N60M6數據表 (總頁數: 16, 大小: 627.44 KB)
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STB22N60M6規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ M6
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs230mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.75V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds800pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)130W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

94mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta), 48W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2090pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

111mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.1nC @ 10V

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