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STB27NM60ND

STB27NM60ND

僅供參考

型號 STB27NM60ND
PNEDA編號 STB27NM60ND
描述 MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,344
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STB27NM60ND資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STB27NM60ND
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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STB27NM60ND規格

制造商STMicroelectronics
系列Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)21A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs160mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs80nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2400pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)160W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

740mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1610pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 280µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

930pF @ 500V

FET功能

-

功耗(最大值)

84W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 10A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±18V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

720pF @ 480V

FET功能

-

功耗(最大值)

81W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 58A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

96nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2860pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

215W (Tc)

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