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STB6NK90ZT4

STB6NK90ZT4

僅供參考

型號 STB6NK90ZT4
PNEDA編號 STB6NK90ZT4
描述 MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 21,870
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STB6NK90ZT4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STB6NK90ZT4
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STB6NK90ZT4, STB6NK90ZT4數據表 (總頁數: 26, 大小: 653.58 KB)
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STB6NK90ZT4規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)900V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs60.5nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1350pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)140W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

625W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

ON Semiconductor

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Ta), 42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3940pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 78W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-PQFN (5x6)

包裝/箱

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制造商

IXYS

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

2500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450Ohm @ 50mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

116pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

63mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 7.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1405pF @ 125V

FET功能

-

功耗(最大值)

104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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