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STB8NM60D

STB8NM60D

僅供參考

型號 STB8NM60D
PNEDA編號 STB8NM60D
描述 MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,118
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STB8NM60D資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STB8NM60D
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STB8NM60D, STB8NM60D數據表 (總頁數: 13, 大小: 733.86 KB)
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STB8NM60D規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds380pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)100W (Tc)
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2653pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.6A (Ta), 18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1480pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

930mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerDI3333-8

包裝/箱

8-PowerVDFN

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1264pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

65W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-DFN3333 (3.3x3.3)

包裝/箱

8-VDFN Exposed Pad

制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

52A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

186nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

625W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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