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STBV32G-AP

STBV32G-AP

僅供參考

型號 STBV32G-AP
PNEDA編號 STBV32G-AP
描述 TRANS NPN 400V 1.5A TO-92AP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,978
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STBV32G-AP資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STBV32G-AP
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
STBV32G-AP, STBV32G-AP數據表 (總頁數: 11, 大小: 234.04 KB)
PDFSTBV32G數據表 封面
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STBV32G-AP規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 500mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce5 @ 1A, 2V
功率-最大1.5W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92AP

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 1A, 2V

功率-最大

150W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 10mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

900mV @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

功率-最大

330mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 500mA, 3V

功率-最大

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