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STD2NK60Z-1

STD2NK60Z-1

僅供參考

型號 STD2NK60Z-1
PNEDA編號 STD2NK60Z-1
描述 MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 31,116
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STD2NK60Z-1資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STD2NK60Z-1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STD2NK60Z-1, STD2NK60Z-1數據表 (總頁數: 16, 大小: 501.98 KB)
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STD2NK60Z-1規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds170pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)45W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6900pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

660mW (Ta)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

58.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2050pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 56.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

145nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7910pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

157W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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