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STD3N62K3

STD3N62K3

僅供參考

型號 STD3N62K3
PNEDA編號 STD3N62K3
描述 MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,924
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STD3N62K3資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STD3N62K3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STD3N62K3, STD3N62K3數據表 (總頁數: 27, 大小: 725.51 KB)
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STD3N62K3規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH3™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)620V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds385pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)45W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.15V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4235pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.9W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.7nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2050pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta), 78.1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

520mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1633pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

28W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

72mOhm @ 17A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 400uA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 8V

Vgs(最大)

±18V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1130pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

104W (Tc)

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