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STD3N65M6

STD3N65M6

僅供參考

型號 STD3N65M6
PNEDA編號 STD3N65M6
描述 MOSFET N-CH 650V DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,462
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STD3N65M6資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STD3N65M6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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STD3N65M6規格

制造商STMicroelectronics
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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30V

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80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 130µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

105nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

188W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

71A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 50A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 1mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

179nC @ 20V

Vgs(最大)

+25V, -10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2980pF @ 1000V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

340A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.65mOhm @ 195A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7590pF @ 24V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

850mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7205pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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