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STD3NK50ZT4

STD3NK50ZT4

僅供參考

型號 STD3NK50ZT4
PNEDA編號 STD3NK50ZT4
描述 MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STD3NK50ZT4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STD3NK50ZT4
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STD3NK50ZT4, STD3NK50ZT4數據表 (總頁數: 14, 大小: 472.04 KB)
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STD3NK50ZT4規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds280pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)45W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

123mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

220pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 2.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50.6nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2426pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

680mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

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