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STD5N80K5

STD5N80K5

僅供參考

型號 STD5N80K5
PNEDA編號 STD5N80K5
描述 N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 2,016
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 31 - 一月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STD5N80K5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STD5N80K5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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STD5N80K5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.75Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds177pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)60W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 25V

FET功能

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

830mW (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.45nC @ 10V

Vgs(最大)

±40V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

73pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 15.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

180W (Tc)

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