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STD6N52K3

STD6N52K3

僅供參考

型號 STD6N52K3
PNEDA編號 STD6N52K3
描述 MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 24,738
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STD6N52K3資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STD6N52K3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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STD6N52K3規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH3™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)525V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)70W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 9.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 5W (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

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