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STD7N65M2

STD7N65M2

僅供參考

型號 STD7N65M2
PNEDA編號 STD7N65M2
描述 MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STD7N65M2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STD7N65M2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STD7N65M2, STD7N65M2數據表 (總頁數: 17, 大小: 1,059.24 KB)
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STD7N65M2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds270pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)60W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta), 29A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

54mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1770pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

135W (Tc)

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安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

69A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 34.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9800pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

400W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5640pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

450nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

520W (Tc)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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