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STE50DE100

STE50DE100

僅供參考

型號 STE50DE100
PNEDA編號 STE50DE100
描述 TRANS NPN 1000V 50A ISOTOP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,758
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STE50DE100資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STE50DE100
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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STE50DE100規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN - Emitter Switched Bipolar
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1000V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大400W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱ISOTOP
供應商設備包裝ISOTOP®

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32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

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工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

150mW

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工作溫度

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3A

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 4V

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