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STF11N60DM2

STF11N60DM2

僅供參考

型號 STF11N60DM2
PNEDA編號 STF11N60DM2
描述 N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 18,006
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STF11N60DM2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STF11N60DM2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STF11N60DM2, STF11N60DM2數據表 (總頁數: 12, 大小: 708.26 KB)
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STF11N60DM2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ DM2
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs420mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16.5nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds614pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)25W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Ta), 211A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.75mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

158nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8292pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 63W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

510mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1633pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

232pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

38W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

4.2W (Ta), 36W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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