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STF140N6F7

STF140N6F7

僅供參考

型號 STF140N6F7
PNEDA編號 STF140N6F7
描述 N-CHANNEL 60 V, 0.0031 OHM TYP.,
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 16,260
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 12 - 一月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STF140N6F7資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STF140N6F7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STF140N6F7, STF140N6F7數據表 (總頁數: 13, 大小: 673.98 KB)
PDFSTF140N6F7數據表 封面
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STF140N6F7規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)70A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs55nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)33W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

86mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

600mW (Ta)

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

830mW (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1320pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

DirectFET™ Isometric MZ

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制造商

Infineon Technologies

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HEXFET®

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1110pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.98W (Ta), 9.6W (Tc)

工作溫度

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功耗(最大值)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

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安裝類型

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