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STF17N62K3

STF17N62K3

僅供參考

型號 STF17N62K3
PNEDA編號 STF17N62K3
描述 MOSFET N-CH 620V 15.0A TO220FP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 13,656
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STF17N62K3資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STF17N62K3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STF17N62K3, STF17N62K3數據表 (總頁數: 17, 大小: 970.96 KB)
PDFSTW17N62K3數據表 封面
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STF17N62K3規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH3™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)620V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs340mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs105nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3100pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)40W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

170A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

890W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

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包裝/箱

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

195mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1080pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

156W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 20A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90.8nC @ 20V

Vgs(最大)

+25V, -5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1915pF @ 800V

FET功能

-

功耗(最大值)

313mW (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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-

功耗(最大值)

560mW (Ta), 12.5W (Tc)

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