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STF18N60M2

STF18N60M2

僅供參考

型號 STF18N60M2
PNEDA編號 STF18N60M2
描述 MOSFET N-CH 600V TO-220FP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,978
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STF18N60M2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STF18N60M2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STF18N60M2, STF18N60M2數據表 (總頁數: 13, 大小: 1,066.1 KB)
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STF18N60M2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II Plus
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21.5nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds791pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)25W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

132mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

105pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

400mW (Ta), 500mW (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

47mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2248pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

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功耗(最大值)

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