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STF26N60M2

STF26N60M2

僅供參考

型號 STF26N60M2
PNEDA編號 STF26N60M2
描述 MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 21,996
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STF26N60M2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STF26N60M2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STF26N60M2, STF26N60M2數據表 (總頁數: 15, 大小: 421.54 KB)
PDFSTFI26N60M2數據表 封面
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STF26N60M2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs165mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)30W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±40V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

146mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.8nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

716pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

37W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2246pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

940mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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