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STF31N65M5

STF31N65M5

僅供參考

型號 STF31N65M5
PNEDA編號 STF31N65M5
描述 MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,576
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STF31N65M5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STF31N65M5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STF31N65M5, STF31N65M5數據表 (總頁數: 25, 大小: 1,658.68 KB)
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STF31N65M5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs148mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs45nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds816pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)30W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

135nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4730pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

52A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

113nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

660W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

735pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

170A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 85A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

434nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1170W (Tc)

工作溫度

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功耗(最大值)

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